*Memorias SIMM (siglas de Single In-line Memory Module), un tipo de encaosulado consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa base o en la placa de memoria. Los contactos en ambas caras son redundantes, lo que es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs.
- Consta de 30 contactos y meneja 8 bits
- Se utilizan en las computadoras 386 y 486
- Venian en modulos de 256 Kbytes, 1 Mbyte y 4 Mbytes
- Trabaja con una tension de 5 voltios.
*Memorias SIMM de 72 Contactos:
- Consta de 72 contactos y maenja hasta 32 bits
- se utilizan en las computadoras 486, 586, K6-II, K6III, Celeron, pentium y pentium II
- su capacidad es de 4 Mbytes, 8 Mbytes, 16 Mbytes, 32 Mbytes y 64 Mbytes
- trabaja con una tension de 5 voltios
*Memorias DIMM(DUAL IN-LINE MEMORY MODULE) Modulo de Memoria en Linea:
DIMM son las siglas de «Dual In-line Memory Module» y que podemos traducir como Módulo de Memoria lineal doble. Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMMs como el tipo predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium dominaron el mercado.
Son módulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado están unidos con los del otro.
Un DIMM puede comunicarse con el PC a 64 bits (y algunos a 72 bits) en vez de los 32 bits de los SIMMs.
- consta de 168 contactos y 64 bits
- estan disponibles en capacidades 8 Mbytes, 16 Mbytes, 32 Mbytes, 64 Mbytes, 128 Mbytes, 256 Mbytes, 512 Mbytes.
- trabajan con un voltaje de 3.3 voltios y 5 voltios
- velocidad 266 y 333 Mgz
- pentium III
*Memorias DIMM DDR(DOBLE DATA RATE)Doble Velocidad de Datos de 184 Pines:
DDR, Double Data Rate, significa memoria de doble tasa de transferencia de datos en castellano. Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GiB.
Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un FSB (Front Side Bus) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz.
También se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas.
Un ejemplo de calculo para PC-1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600 MiB/s
Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos: Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de slots. Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.
- tiene 184 contactos del mismo tamaño fisico de las de 168 contactos
- trabaja con un voltaje 2.5 voltios y 1.8 voltios
- a diferencia de las de 168 contactos tiene 2 ranuras de sujecion y una ranura para instalar al slot
- salieron con las pentium IV y trabaja con 64 bits hasta las DDR III.
*Memorias DIMM DDR2 de 240 Pines:
DDR2 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la DRAM.
Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del modulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria.
Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información.
- tiene 240 pines y duplica la cantidad de datos utilizando 2 reloes
- velocidades desde 400 Mhz hasta 667 Mhz, capacidad hasta 1 Gbyte
- pentium IV y dual core
Caracteristicas:
Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.
Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1.8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2.5.
Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminación integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de señal reflejada.
Mejoras operacionales para incrementar el desempeño, la eficiencia y los márgenes de tiempo de la memoria.
Latencia CAS: 3, 4 , 5 ,6 , 7
Tasa de transferencia desde 400 hasta 1024 MiB/s y capacidades de hasta 2x2 GiB actualmente.
Su punto en contra son las latencias en la memoria más largas (casi el doble) que en la DDR.
Algunas marcas de estas memorias son: STD, Transcend, Kingston, Buffalo, NEC, Elixir, Vdata, TRCND, OCZ, Corsair, G. Skill, Mushkin.
Memorias DIMM DDR 3:
DDR 3 es el nombre del nuevo estándar DDR, que viene siendo el sucesor del DDR 2.
En febrero, Samsung Electronics anunció un chip prototipo de 512 MiBa 1066 MHz (La misma velocidad de bus frontal del Pentium 4 Extreme Edition más rápido) con una reducción de consumo de energía de un 40% comparado con los actuales módulos comerciales DDR 2, debido a la tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR 3 que permite más bajas corrientes de operación y voltajes (1,5 V, comparado con 1,8 del DDR 2 ó 2,5 del DDR). Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadoras portátiles quizás se puedan beneficiar de la tecnología DDR 3.
Teóricamente, estos módulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-1600 MHz, comparado con el rango actual del DDR 2 de 533-800 MHz ó 200-400 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR 2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.
Los DIMMS DDR 3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.
La memoria GDDR 3, con un nombre similar pero con una tecnología completamente distinta, ha sido usada durante varios años en tarjetas gráficas de gama alta como las series GeForce 6x00 ó ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada como memoria principal del Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR 3".
Los módulos más rápidos de tecnología DDR 3 ya están listos al mismo tiempo que la industria se preparara para adoptar la nueva plataforma de tecnología.
Ensambladores como Nvidia, ya están empezando a implementar la GDDR5 en sus nuevas tarjetas gráficas GT300 de momento estanco en los 4000Mhz (2000Mhz DDR). La GDDR4 que intento lanzar Ati con la X1950XTX fue un lamentable fracaso.
Kingston Technology Company, Inc, el fabricante de memoria independiente líder del mundo, ha anunciado el lanzamiento de HyperX 1.375 MHz y ValueRAM 1.066 MHz, módulos de memoria de acceso dinámico sincrónico DDR 3, pionero en la memoria tecnológica.
Considerado el sucesor de la actual memoria estándar DDR 2, DDR 3 promete proporcionar significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.
Además, Kingston comercializará módulos ValueRAM 1.333 MHz DDR 3 para que coincida con la placa base X3 que se lanzará durante este verano.
“Como líderes de la industria gracias a nuestra línea de productos HyperX 1.375 MHz, Kingston puede producir la memoria más rápida para usuarios entusiastas y profesionales”, asegura JK Tsai, director del Grupo de Recursos de Tecnología de Kingston Techonology. “Introducir tecnología revolucionaria como la DDR 3 para dar soporte a la nueva placa base –nuestro ValueRAM 1.066 MHz aún no está disponible en el mercado- y a los chipsets es un gran logro para nuestro grupo de ingenieros.
Muchas compañías de placas madre han probado la memoria DDR 3 de Kingston en sus laboratorios y están muy satisfechos con el resultado”.
“Kingston ha trabajado conjuntamente con Asus, Gigabyte y otras empresas fabricantes de placas base durante el proceso de prueba del HyperX 1.375 MHz”, afirma Mark Tekunoff, director senior de Tecnología de Kingston Technology. “Hemos seleccionado y producido con éxito cantidades de memoria DRR3 a 1.375 MHz, porporcionando a los usuarios de esta tecnología la oportunidad de probar la nueva placa madre en algunos de los niveles más altos de rendimiento disponibles. Muchas de las placas base que se mostraron en Computex 2007, basadas en los nuevos chipsets P35, ahora utilizan la tecnología DDR 3”.
Se prevé que la tecnología DDR 3 sea dos veces más rápida que la DDR 2, la memoria con mayor velocidad hoy en día, y el alto banda ancha que prometió ofrecer DDR 3 es la mejor para la combinación de un sistema dual y procesadores "quad core". El voltaje más bajo del DDR 3 (HyperX 1,7 V versus 1,8 V con DDR 2 y ValueRAM 1,5 V versus 1.8v con DDR 2) ofrece una solución térmica más eficaz para los ordenadores actuales y para las futuras plataformas móviles y de servidor.
Los módulos DDR3 de Kingston están disponibles en capacidades de entre 512 MiB y 1 GiB, así como mediante kits de memoria de 1 a 2 GiB.
- alcanza velocidades de 1033 Mhz y capacidades hasta 2 Gbytes
- hay a partir de 512 Mbytes
Memoria CACHE:
La memoria caché es una clase de memoria RAM estática (SRAM) de acceso aleatorio y alta velocidad, situada entre el CPU y la RAM; se presenta de forma temporal y automática para el usuario, que proporciona acceso rápido a los datos de uso más frecuente.
La ubicación de la caché entre el microprocesador y la RAM, hace que sea suficientemente rápida para almacenar y transmitir los datos que el microprocesador necesita recibir casi instantáneamente.
La memoria caché es rápida, unas 5 ó 6 veces más que la DRAM (RAM dinámica), por eso su capacidad es mucho menor.Por eso su precio es elevado, hasta 10 ó 20 veces más que la memoria principal dinámica para la misma cantidad de memoria.
La utilización de la memoria caché se describe a continuación:
Acelerar el procesamiento de las instrucciones de memoria en la CPU.
Los ordenadores tienden a utilizar las mismas instrucciones y (en menor medida), los mismos datos repetidamente, por ello la caché contiene las instrucciones más usadas.
Por lo tanto, a mayor instrucciones y datos la CPU pueda obtener directamente de la memoria caché, tanto más rápido será el funcionamiento del ordenador.
Composicion interna.-La memoria caché está estructurado por celdas, donde cada celda almacena un byte. La entidad básica de almacenamiento la conforman las filas, llamados también líneas de caché. Por ejemplo, una caché L2 de 512 KB se distribuye en 16.384 filas y 32 columnas
Cuando se copia o se escribe información de la RAM por cada movimiento siempre cubre una línea de caché.
La memoria caché tiene incorporado un espacio de almacenamiento llamado Tag RAM, que indica a qué porción de la RAM se halla asociada cada línea de caché, es decir, traduce una dirección de RAM en una línea de caché concreta.
Diseño.-En el diseño de la memoria caché se deben considerar varios factores que influyen directamente en el rendimiento de la memoria y por lo tanto en su objetivo de aumentar la velocidad de respuesta de la jerarquía de memoria. Estos factores son las políticas de ubicación, extracción, reemplazo, escritura y el tamaño de la caché y de sus bloques.
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1 comentario:
Bien Carlos
Tu blog esta en la siguiente página
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